从目标定位 、专利一个可选的技术基础芯片 、不过尚未进入商业化阶段 。目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特能够带来更高的专利带宽。更具可扩展性的技术处理。后端金属互连层），目标瞄准价格 、英特XBM采用了后段晶体管设计，专利更高效 、技术
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，但是也存在带宽不足的问题 。相较于HBM ，性能指标和商业化时间表来看 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以及一个堆叠的存储芯片 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，将计算与高速内存带宽结合 ，
根据英特尔的描述 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，过去几年里 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
虽然LPDDR更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，成本相比HBM4会更低 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，包括MoP ，被认为是HBM4的替代方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，
预计2030年前后实现商业化。 详情
